مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری

دسته بندي : فنی و مهندسی » برق، الکترونیک و مخابرات

توضیحات:

مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری CMOS شصت و پنج نانومتری، در قالب فایل word و در حجم 13 صفحه، همراه با مقاله انگلیسی زبان اصلی.

عنوان مقاله زبان اصلی:

New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology

ترجمه چکیده:

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

مشخصه های زیرآستانه ای در فناوری 65 نانومتر

تحلیل DC

تاثیر Stacking در فناوری 65 نانومتر

فلیپ فلاپ در ناحیه زیرآستانه ای

فلیپ فلاپ لچ هیبریدی

فلیپ فلاپ تقویت کننده حسگری

نتیجه گیری

دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک و مخابرات

تعداد مشاهده: 19078 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.zip

فرمت فایل اصلی: docx

تعداد صفحات: 13

حجم فایل:1,801 کیلوبایت

قیمت: 28,500 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود. پرداخت و دریافت فایل

راهنمای استفاده:
ابتدا فایل را با با نرم افزار Winrar از حالت فشرده خارج نمایید. برای دانلود رایگان نرم افزار winrar اینجا کلیک کنید.
محتوای فایل دانلودی:
فایل word و قابل ویرایش متن ترجمه همراه با فایل pdf مقاله انگلیسی

مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری

خرید مطمئن

دسته بندی

پیوندهای فروشگاه

آمار فروشگاه